Kapitel 2: Vorstrukturierung der V-Gräben

2.1.1 Experimentelle Durchführung

Zunächst wird ein Wafer in die vier Viertel gespalten. Alles folgende bezieht sich nun auf eines dieser Viertel.

Die Tabelle 2.1 gibt einen Überblick über die experimentellen Details des Ätzvorgangs. Das verwendete Brom hat die Reinheitsstufe „pro analysis“. Ich habe Brom in Methanol gelöst, man nennt es daher (etwas lax) -prozentiges (Brom-Methanol).

Die Ätzzeit von ist lediglich eine Richtzeit. Anhand der TEM-Strukturen auf dem Wafer kann man recht leicht die Tiefe der Ätzung abschätzen. Ich habe versucht, bei allen Wafern eine Ätzstufe (AS) von – zu erreichen, d. h. die breiten Gräben der TEM-Struktur sind zum Teil bereits V-förmig, zum Teil noch U-förmig. Eventuell wird dafür ein Nachätzen nötig.

Die Flußsäure dient nicht nur dazu, das zu lösen, sie besorgt auch die Endreinigung des Wafers vor der Bewachsung in der MOVPE. Insbesondere werden einige anorganische Rückstände (z. B. Oxide) gelöst, damit sie nicht das Wachstum auf den Seitenflächen stören können Kaluza (2000, Kap. 7.1).

Die Abbildung 2.1 zeigt ein positives Beispiel für ein geätztes Viertel. Die -Kanten sind einigermaßen glatt, entsprechendes gilt für die Seitenflächen der Gräben. (Man beachte, daß die Seitenflächen vor dem Bewachsen grundsätzlich wesentlich rauher erscheinen.) Man sieht keine Löcher, die durch Reste der Ätze verursacht werden können, und auch die Verschmutzungen halten sich sehr in Grenzen.

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2.1.2 Versuch mit einer -Maske

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