Stichwortverzeichnis

Abschnürung   3.3

Aixtron   3.4

Ätzen   1.1

Ätzstufe   2.1.1

Band-Band-Übergang   4.2

Banddiskontinuität   3.1.2

Bandlücke   3.1.2, 1.2

Bandstruktur   1.2

Bänderschema   1.2

Beweglichkeit   3.1.2, 1.3, [hier]

Brechung   4.1

Diffusion   3.2

diffusionskontrolliertes Wachstum   3.2.1

Diffusionslänge   3.2.2, 3.3.1

Diffusionsprozesse der MOVPE   3.2.2

direkter Halbleiter   1.2, 4.2

Dotierung   3.1.2, 3.4.1, 3.4.1, 3.2, [hier]

Entmischung   3.3

Exzitonen   4.3

Facetten   3.3.1, 3.3

Fermi-Energie   3.1.1, 1.3

Fermikreis   1.3

Gitterkonstante   1.1

Hereroübergang   3.1.1

indirekter Halbleiter   1.2, 4.2

Inselwachstum   3.2.2

Inversionssymmetrie   1.1

Kleinwinkelstreuung   1.3

Kristalldefekte   3.1

Ladungsträger

Leitungsband   1.2

Löcher   1.2

Lumineszenz   4.1

Materialparameter   3.1.2

Matrix   3.4.2

Modulationsdotierung   3.1.2

MOVPE   3.3

Netzebenen   3.3.1, 1.1

Oxide   2.1.1

Partialdruck   3.2.1

Photolumineszenz   4.1

Planarisierung   3.3.1

polykristallines Wachstum   3.4.1

Potentialtopf   [hier]

Quasi-Impuls   1.2

Quellverbindungen   3.2

Raumgruppe   1.1

Raumladungszone   3.1.1

Raumrichtungen   1.1

Reflexion   4.1

Rekombination   4.2

reziproker Raum   1.2

Schichtfolge   3.4.1

Schrödinger-Gleichung   1.2, 4.4

Stickstoff   3.2

Störstelle   3.1.2, 1.3, 4.1

Streuung   3.1.2, 1.3, 4.1

Stufenfluß-Wachstum   3.2.2, 3.4

Subbänder   1.3, 4.4

Substrat-Temperatur   3.2.1

Symmetrie-Elemente   1.1

Temperatur

Thermalisieren   4.1

Trägergas   3.2

Valenzband   1.2

Valenzbandsprung   3.1.1

Wachstum   3.3

Wachstumsrate   3.2.1, 3.3.1, 3.3.1

Zustandsdichte   1.3

Zustände